ランカスター大、DRAMとFlashメモリの特性を兼ね備えたユニバーサルメモリ実現につながる技術開発

あるAnonymous Coward 曰く、

ランカスター大学は、DRAMの高速性と省エネ性とFlashメモリの堅牢性を兼ね備えた「ユニバーサルメモリ」の実現につながる技術を発見したと発表した。研究グループは量子力学の応用により、電源がなくてもデータを保持可能な「不揮発性」と、高速かつ低消費電力で読み書きが可能な「低電圧スイッチング」という、これまで両立させることが不可能だといわれてきた機能を併せ持つ化合物半導体のメモリセルの理論を確立することができたとしている。

この新しい化合物半導体メモリセルは極めて高速で読み書き可能な上に、データを保持するために電力を供給し続ける必要がないため、実用化されれば「キーストロークとキーストロークの間だけ瞬間的に省エネスリープモードに入る」ようなPCも開発可能だとしている。消費電力が極めて小さく、DRAMの100分の1・フラッシュメモリの1000分の1の消費電力しか必要としないとしている（ランカスター大学、GIGAZINE、Slashdot）。